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应变Ge材料载流子迁移率高,且与硅工艺兼容,在硅基CMOS中的应用潜力大。能带结构是深入研究应变Ge材料基本属性,设计高速/高性能CMOS器件的重要理论依据。为此,本文采用结合形变势理论的kp微扰法,分析了（001）双轴压应力Ge材料价带结构、轻重空穴带Γ点能级及轻重空穴带间分裂能等价带物理参量与应力的理论关系,获得有实用价值的相关结论。