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高耐压功率MOSFETF系列产品为使trr（内部二极管反向恢复时间）达到高速化，成功地在超结MOSFET的元件内部形成局部的陷阱能级，从而使得trr从160ns缩短为70ns，也就是比普通的超结结构产品缩短约60％。无须接入FRD就可以应用于桥接电路，这对削减元器件数量、减小基片面积和达到高频化，使得变压器等小型化，从而实现装置小型化、低成本化有很大的贡献。