【摘 要】
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日本某公司研究成功一种不使用感光剂(抗蚀剂)也可在衬底上直接形成VLSI电路图形的新技术.用激光照射置于氯气中的硅衬底,在照射部分即产生化学反应而被蚀刻(无抗蚀剂蚀刻),
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日本某公司研究成功一种不使用感光剂(抗蚀剂)也可在衬底上直接形成VLSI电路图形的新技术.用激光照射置于氯气中的硅衬底,在照射部分即产生化学反应而被蚀刻(无抗蚀剂蚀刻),从而形成电路图形. 目前,在硅衬底上形成LSI电路图形都是按抗蚀剂涂敷→抗蚀剂烘干→图形曝光→显影→抗蚀剂加固→蚀刻→抗蚀剂剥离等七个工序进行的,而新技术则
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