4H-SiC在Cl2＋Ar混合气体中的ICP刻蚀工艺研究

• 作 者: 贾护军 杨银堂 柴常春 李跃进
• 机 构: 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
• 出 处: 真空科学与技术学报
• 发表日期: 2006年6期
• 关键词: 碳化硅 刻蚀 感应耦合等离子体 刻蚀速率 Silicon carbide Etching Inductively coupled plasma Etchin

采用C12＋Ar作为刻蚀气体进行了单晶4H-SiC材料的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺研究，分析了气体流量、气体混合比、反应室压力、1CP功率等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响．得到的最大蚀速率为194nm/min，表面均方根粗糙度为1．237nm，Cl／Si原子浓度比约为0．97％：99．3％。