【摘 要】
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国外已有一些厂家试图用钼钨等的硅化物栅来取代 MOS LSI 的硅栅。该栅电极的电阻率比硅栅低一个数量级以上,可以使用同硅栅 MOS LSI 一样的工艺。降低栅电阻率的目的是实现
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国外已有一些厂家试图用钼钨等的硅化物栅来取代 MOS LSI 的硅栅。该栅电极的电阻率比硅栅低一个数量级以上,可以使用同硅栅 MOS LSI 一样的工艺。降低栅电阻率的目的是实现微细栅结构的高密度 LSI。若在现阶段的 MOS LSI 中使用,还可能提高工作速度。
Some foreign manufacturers have tried to replace the MOS LSI silicon gate with a silicide gate such as molybdenum tungsten. The gate electrode has a resistivity that is more than an order of magnitude lower than a silicon gate, and the same process as a silicon gate MOS LSI can be used. The purpose of reducing the gate resistivity is to realize a high-density LSI with a fine gate structure. If used at the present stage MOS LSI, it may also increase the speed of work.
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