【摘 要】
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用离子注入工艺制造GaAs单片放大器,具有均匀性和重复性好、生产量大和成本低等优点,尤其适宜于器件的大规模生产。 《Electronics Letters》1991年11月报道了离子注入GaAs/A
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用离子注入工艺制造GaAs单片放大器,具有均匀性和重复性好、生产量大和成本低等优点,尤其适宜于器件的大规模生产。 《Electronics Letters》1991年11月报道了离子注入GaAs/AlGaAs异质结FET技术应用于毫米波单片放大器的制造。
The GaAs monolithic amplifier fabricated by the ion implantation process has the advantages of good uniformity and repeatability, high throughput and low cost, and is particularly suitable for large-scale production of the device. Electronics Letters reported in November 1991 that ion-implanted GaAs / AlGaAs heterojunction FET technology is used in the manufacture of millimeter-wave monolithic amplifiers.
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