【摘 要】
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低能正电子碰撞原子内壳层电离截面的实验数据目前还很缺乏,从而影响了对近年来发展的各相关理论模型的检验,限制了慢正电子束流技术在诸多领域中的应用.本文采用慢正电子束
【机 构】
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华北电力大学非能动核能安全技术北京市重点实验室,中国科学院高能物理研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金（批准号：11275071）, 华北电力大学大学生创新创业训练计划项目（批准号：2016-153）, 中央高校基本科研业务费专项资金（批准号：2018ZD10）资助的课题
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低能正电子碰撞原子内壳层电离截面的实验数据目前还很缺乏,从而影响了对近年来发展的各相关理论模型的检验,限制了慢正电子束流技术在诸多领域中的应用.本文采用慢正电子束流装置产生的8—9.5 keV正电子束碰撞纯厚Ti靶,利用硅漂移探测器（SDD）收集正电子碰撞Ti靶产生的X射线,同时采用高纯锗探测器在线获得与靶碰撞的入射正电子数,从而得到Ti的K壳层实验产额,并基于蒙特卡罗模拟程序PENELOPE获得模拟产额.将实验产额分别与内壳层电离截面数据库采用经典光学数据模型（ODM）和扭曲波玻恩近似理论模型（DWBA
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