32nm CMOS工艺技术挑战

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zc198926

【摘要】

：

根据国际半导体技术发展蓝图（international technology roadmap for semiconductor,ITRS）,CMOS技术将于2009年进入32nm技术节点.然而,在CMOS逻辑器件从45nm向32nm节点按比例缩

【作者】

：

吴汉明王国华黄如王阳元

【机构】

：

中芯国际半导体制造公司,北京大学

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年9期

【关键词】

：

CMOS技术 32nm技术节点迁移率增强金属栅/高k栅介质超低k介质 CMOS technology 32nm technology node mobi

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根据国际半导体技术发展蓝图（international technology roadmap for semiconductor,ITRS）,CMOS技术将于2009年进入32nm技术节点.然而,在CMOS逻辑器件从45nm向32nm节点按比例缩小的过程中却遇到了很多难题.为了跨越尺寸缩小所带来的这些障碍,要求把最先进的工艺技术整合到产品制造过程中.文中总结并讨论了可能被引入到32nm节点的新的技术应用,涉及如下几个方面：浸入式光刻的延伸技术、迁移率增强衬底技术、金属栅/高介电常数栅介质（ metal/h

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