退火处理对P型ZnO薄膜光电性能影响的研究

来源 :中国非金属矿工业导刊 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hanbing81868164
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ZnO薄膜为重要的第三代半导体材料,因其优异的光电性能在微电子行业及光电方面诸多领域备受关注,ZnO薄膜的P型掺杂是实现ZnO基光电器件的关键.本文利用射频磁控溅射法通过N-A1共掺技术,在普通玻璃衬底上成功生长出P型ZnO透明导电薄膜.探讨了不同退火气氛和不同退火温度对薄膜样品光电性能的影响,研究结果表明:当氮氧比为9∶1、溅射功率为140W、在400℃真空条件下退火时成功制备出性能优越的P型ZnO薄膜,其电阻率为152Ω.cm,薄膜可见光透射率达到90%以上.
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