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前言 CooIMOS CS系列“超级结”MOSFET器件高压设备的成功是基于1998年英飞凌公司推出的CooIMOS技术。这些器件的优越性能实现了区域导通电阻的大幅度降低。为了防止过早的电压击穿，载流子得到了相邻漂移区内P-区的补偿。P-区与导电n-区紧密封闭在一起。在阻断状态下，这些相邻的n-区域和p-区域通过移动载流子相互耗尽。“超级结”技术的名称是从融合的PN结结构产生的三维表面得来的。这一原理为客户创造了无与伦比的MOSFET性能。