三辛基氧化膦修饰电极三元络合物体系测定铕(Ⅲ)的研究

• 作 者: 方禹之 仝威 柏竹平 金利通
• 机 构: 华东师范大学化学系,华东师范大学化学系,华东师范大学化学系,华东师范大学化学系 上海,上海,上海,上海
• 出 处: 分析化学
• 发表日期: 1988年04期
• 关键词: 修饰电极 化学修饰电极 三元络合物 辛基 痕量铕的测定 溶出伏安法 微分脉冲伏安法 玻碳电极 阴极 峰高

本文报道了三辛基氧化膦(TOPO)修饰旋转圆盘玻碳电极对痕量铕 (Ⅱ)的富集与测定的研究。在嚷吩甲酰三氟丙酮(HTTA),存在的HAc-NaAc底液中,由于协同络合作用,在电极表面形成Eu(TTA)3(TOPO)2三元络合物,从而将铕(Ⅱ)富集在电极表面。采用徽分脉冲阴极溶出伏安法,最低检出限可达0.01ng/ml,铕(Ⅱ)在0.04—2.60 ng/ml范围内与峰高成线性关系。