C20与SI（100）—（2×1）重构表面相互作用的计算机模拟研究

• 作 者: 满振勇 冯锡淇
• 机 构: 中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室,中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验
• 出 处: 计算物理
• 发表日期: 2000年1期
• 关键词: 碳C20 硅 重构 碰撞 表面 相互作用 计算机模拟 molecular dynamics simulations C20 silicon

用分了动力学的方法模拟研究了低能Ｃ２０与Ｓｉ（１００）－（２×）重构表面的相互作用过程。将描述Ｃ、Ｃｉ结构的Ｔｅｒｓｏｆｆ势和描述析子间短程排斥的ＫｒＣ势相结合，建立了一个混合势作为原子间的相互作用模型。荷能Ｃ２０垂直轰击到Ｓｉ（１００）－（２×１）表面后，由于在（１１０）方向受到非对称力场的作用而产生横向的集体运动，改变的入射能量导致Ｃ２０与Ｓｉ（１００）－（２×１）表面最接近的垂直距离不同，从