Nd1.85Ce0.15CuO4±δ单晶ab面与c方向电阻率的比较

• 作 者: 王建彬 杨宏顺 陈旭东 刘剑 孙成海 高慧贤 成路 曹烈兆
• 机 构: 中国科学技术大学结构分析开放实验室,中国科学技术大学物理系
• 出 处: 低温物理学报
• 发表日期: 2008年4期
• 关键词: 电阻率 双载流子 隧穿几率 Resistivity Two carriers Tunneling rates
• 基金项目: 国家自然科学基金（批准号：10374082）资助项目.

本文通过对Nd（1.85）Ce（0.15）CuO（4±δ）单晶ab面（ρab）和c方向电阻率（ρc）的测量,发现未经过氮气退火的样品的ρc与温度成线性依赖关系,但是同一个样品经过氮气退火后的ρc中不仅有一次方的温度依赖关系还有二次方的.这说明样品经过氮气退火后,电子与空穴两种载流子共同参与导电.样品在退火处理前的各向异性比（ρc-ρc0）/（ρab-ρab0）存在强的温度依赖关系,这是由于ρc与温度成线性依赖关系,然而ρab不仅有一次方的温度依赖关系还有二次方的.样品经过退火处理后的各向异性比存