ZrN／n—GaAs肖特基势垒特性研究

• 作 者: 张利春 高玉芝 N.W.Cheung
• 机 构: 北京大学微电子学研究所,UniversityofCalifornia,Berkeley（U.S.A）
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 1989年3期
• 关键词: 氮化锆 砷化镓 肖特基势垒 ZrNGaAsSchottky barrier

本文用RBS,AES和电特性测量等方法,研究了ZrN/n-GaAs肖特基势垒.结果表明ZrN/GaAs势垒有良好的电特性和高温稳定性.经850℃高温退火后,势垒高度为0.90eV,理想因子n=1.02.同时我们观察到,随着退火温度升高(从500℃升高到850℃),ZrN/GaAs势垒电特性有明显改进:肖特基势垒高度增大、二极管反向电流减小、二极管电容减小和反向击穿电压增大.以上特点表明,ZrN/GaAs是用于自对准高速GaAs集成电路的较为理想的栅材料.