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介绍了Ｃ波段高增益微封装ＧａＡｓ功率放大器的设计方法和研制过程，采用多级芯片集成于微封装管壳内，末级放大由功率合成方式实现，在５．０￣６．０ＧＨｚ频率范围内，Ｐ１ｄＢ〉３６ｄＢｍ，Ｇｐ〉４０ｄＢ，ηａｄｄ〉３３％。
C波段高增益微封装GaAs功率放大器
【摘 要】
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介绍了Ｃ波段高增益微封装ＧａＡｓ功率放大器的设计方法和研制过程，采用多级芯片集成于微封装管壳内，末级放大由功率合成方式实现，在５．０￣６．０ＧＨｚ频率范围内，Ｐ１ｄＢ〉３６ｄＢｍ，Ｇｐ〉４０ｄＢ，ηａｄｄ〉３３％。
【机 构】
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电子部第十三研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1998年4期
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