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目的研究TiO2纳米管阵列的可控生长最佳条件及其生长机理。方法采用阳极氧化法在Ti箔上生长有序排列的TiO2纳米管阵列，用场发射扫描电镜（日立S-4800型）分析其表面与界面形貌，通过电流-时间曲线分析TiO2纳米管的生长规律。结果通过实验结果可知，纳米管的可控生长模式为阻挡层变厚并趋于稳定；而纳米管的生长机理可以理解为化学溶解与电化学刻蚀与溶解的相互竞争并达到平衡，同时纳米管的生长受电压、温度、搅拌速度的影响，阳极电压不仅控制了纳米管的生长速度，还决定着纳米管的生长模式；纳米管生长速度随温度的升高而增大