【摘 要】
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众所周知,PECVD过程是相当复杂而又尚欠深入了解的。例如,在一种以SiH_4和NH_3为反应物的平行板反应器中进行的典型的氮化硅淀积过程,就需要控制九个工艺参数和设备变量(频
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众所周知,PECVD过程是相当复杂而又尚欠深入了解的。例如,在一种以SiH_4和NH_3为反应物的平行板反应器中进行的典型的氮化硅淀积过程,就需要控制九个工艺参数和设备变量(频率、功率、压力、电极间隙、稀释气体的种类、SiH_4的流量、NH_3的流量、稀释气体的流量、以及衬底温度)。然而,
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