【摘 要】
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通过使用不同冷却系统的离子注入机台(昆腾和GSD200),调整靶盘的转速等实现离子注入温度的改变,研究NPN晶体管发射极离子注入温度对NPN晶体管的影响。实验结果表明离子注入温
【基金项目】
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上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500223).
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通过使用不同冷却系统的离子注入机台(昆腾和GSD200),调整靶盘的转速等实现离子注入温度的改变,研究NPN晶体管发射极离子注入温度对NPN晶体管的影响。实验结果表明离子注入温度越高,NPN晶体管的电流增益会随之降低。热波法检测结果显示离子注入温度越高,硅晶圆表面注入损伤越严重,注入损伤会使载流子迁移率下降,少子寿命降低,从而降低了双极晶体管发射极的注入效率,导致NPN双极结型晶体管的共射极的电流增益变小。
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