用MOCVD方法生长的GaAS/GaAsP量子线及其特性

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本实验采用普通的光刻和湿法腐蚀技术,将GaAs基片刻蚀成具有W形沟槽样的非平面结构,基片表面为(100)面,沟槽的侧侨眷面为(111)B面,在此基片上用低压MOCVD设备处延生长了GaAs/GaAsP多层膜,通过扫描电和微区拉曼光谱。研究它们的生长特性,发现GaAs和GaAsp的生长速率与基片的晶向及其片上的生长位置有关。
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