双栅极场发射阵列的特性模拟与设计

• 作 者: 庄学曾 夏善红
• 机 构: 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,北京
• 出 处: 电子科学学刊
• 发表日期: 1998年1期
• 关键词: 真空微电子器件 微波器件 毫米波器件 Vacuum microelectronic devices Double-gated field emission a

具有聚集能力的双栅极场发射阵列（ＤＧＦＥＡ）是两类最有发展前途的真空微电子器件（高分辨率场发射显示器和真空微电子微波，毫米波器件）的关键技术，本文简要比较了两种结构的ＤＧＦＥＡ的主要性能和优缺点，叙述了双层栅极结构ＤＧＦＥＡ的设计与模拟方法。从模拟计算获得的发射特性和聚焦性能可以看到，这种结构的ＤＧＦＥＡ能获得几乎平行的场发射电子束，其最大发射电流密度可达到约５００Ａ／ｃｍ＾２以上，是发展真空微电