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【摘 要】
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用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上制备出衬底温度分别为300,450,600℃的碳化硅薄膜,并对薄膜进行了拉曼光谱和原子力显微镜测试分析.结果表明,用溅射法在玻璃衬底上生
【机 构】
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云南大学化学与材料工程学院材料系,云南大学化学与材料工程学院材料系
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2005年8期
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