四探针法测量应变Si—1xGex掺杂浓度

• 作 者: 戴显英 王伟 张鹤鸣 何林 张静 胡辉勇 吕懿
• 机 构: 西安电子科技大学,信息产业部
• 出 处: 西安电子科技大学学报
• 发表日期: 2003年2期
• 关键词: 测量 应变 Si1-xGex材料 迁移率模型 电阻率 掺杂浓度 四探针 硅锗材料 半导体材料 Si1-xGex materialmobility modelre

在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱.经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1-xGex材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术相容,且更加简捷.通过实验及对Si1-xGex材料样品掺杂浓度的现代理化分析验证了其可行性.