高功率附加效率的InGaP／GaAs功率HBT

• 作 者: 郑丽萍 袁志鹏 樊宇伟 孙海锋 狄浩成 王素琴 刘新宇 吴德
• 机 构: 中国科学院微电子学研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2005年1期
• 关键词: 功率附加效率 INGAP/GAAS 功率HBT power-added-efficiency InGaP/GaAs power HBT
• 基金项目: 国家重点基础研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2CB3 1190 2 ),,国家自然科学基金 (批准号 :60 14 60 0 1),,科学院知识创新工程重要方向资助项目~~

采用发射极-基极金属自对准工艺，成功研制出了InGaP／GaAs功率HBT．发射极尺寸为(3μm×15μm)×16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为55GHz和35GHz．在片load—pull测试表明：当工作频率为1GHz时，器件工作在AB类，该功率管最大输出功率为23．5dBm，最大功率附加效率达60%，P1dB的输出功率为21dBm，对应增益为16dB，工作电压为3．5V．