【摘 要】
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美国“注入科学公司(Implant ScienceCorp.)的研究人员展示了一种氮化镓(GaN)发光二极管(LED).这种LED是采用离子注入形成掺杂半导体层区的一种新工艺来制造的.采用这种工艺
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美国“注入科学公司(Implant ScienceCorp.)的研究人员展示了一种氮化镓(GaN)发光二极管(LED).这种LED是采用离子注入形成掺杂半导体层区的一种新工艺来制造的.采用这种工艺可以制造发蓝光的LEDs,进而还可用来制造激光二极管.这种器件整体上具有平面型的结构,很适合于倒装式的凸点连接技术,可提高器件的可靠性和总体产额,即增加光输出.
Researchers at Implant Science Corp. of the United States showed a gallium nitride (GaN) light-emitting diode (LED) manufactured using a new process using ion implantation to form doped semiconductor layers Using this process allows the manufacture of blue LEDs and, in turn, the manufacture of laser diodes, the overall planar design of the device is well suited for flip-chip bump bonding to improve device reliability and The total output, that is, increase the light output.
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