Cr掺杂AIN半导体电磁性质的第一性原理研究

• 作 者: 樊玉勤 王新强 王连轩 胡凯燕
• 机 构: 重庆大学数理学院物理系
• 出 处: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 发表日期: 2009年1期
• 关键词: AIN 电磁性质 能带结构 态密度 AIN electromagnetic properties band structure density of st

基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理方法，在广义梯度近似（GGA）下分别计算了无掺杂和掺杂过渡金属Cr原子的AIN半导体的电磁性质，结果表明，掺杂后AIN由半导体转变为半金属，并具有较宽的半金属能隙。当掺杂浓度为25％、12．5％、5．6％o时，半金属能隙分别为0．8eV、1．1eV、1．2eV。以掺杂浓度为12．5％的Cr-AIN（2×2×1）为例，详细分析了其能带结构、态密度分布和电子布居数以及磁矩等。