A位取代对ZnO-0．5SiO2陶瓷烧结特性和介电性能的影响

• 作 者: 徐进 李福龙 张启龙
• 机 构: 厦门大学材料学院,浙江大学材料与化学工程学院
• 出 处: 厦门大学学报：自然科学版
• 发表日期: 2009年1期
• 关键词: 微波介质陶瓷 介电性能 低介电常数 烧结 microwave dielectric ceramics dielectric properties low
• 基金项目: 福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划（0000-X07201）,福建省自然科学基金（E0720001）,厦门大学科研启动经费（0000-X07157）资助

采用常规固相反应法，以ZnO-0．5SiO2体系为基体成分，研究了A位取代ZnO-0．5SiO2陶瓷的烧结特性和介电性能的影响规律．结果表明：Mg在一定范围内A位取代ZnO-0．5SiO2中的Zn可形成（Zn1-x，Mgx）2SiO4固溶体，x（Mg）最大固溶度不超过0．5．当取代量超过固溶度后．出现Mg2SiO4和Mg2SiO3相．x（Mg）≤0．5，陶瓷介电常数变化不大，品质因子较高；x（Mg）〉0．5时，陶瓷介电常数增大，品质因子急剧下降．研究还揭示了（Zn1-x，Mgx）2SiO4（x=0．1～0