【摘 要】
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众所周知,SiO_2/Si结构的离子注入会使SiO_2薄膜和硅衬底受到损伤。本文讨论了超薄氧化物经砷离子注入后的质量退化现象,该退化现象表现为漏电流增加和介质击穿电压下降。温
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众所周知,SiO_2/Si结构的离子注入会使SiO_2薄膜和硅衬底受到损伤。本文讨论了超薄氧化物经砷离子注入后的质量退化现象,该退化现象表现为漏电流增加和介质击穿电压下降。温度对导电率的依赖关系表明,俘获态势垒高度约为1.0eV,注入薄氧化物的总传导电流是由流向退化区域的P-F成分和流向其它区域的F-N成分之和来表示的。
It is well-known that the SiO 2 / Si structure ion implantation will damage the SiO 2 film and the silicon substrate. This article discusses the mass degradation of ultra-thin oxide after arsenic ions are implanted, which degenerates as leakage current increases and dielectric breakdown voltage decreases. The dependence of temperature on conductivity shows that the trap barrier height is about 1.0 eV and the total conduction current injected into the thin oxide is represented by the sum of the P-F component flowing into the degraded region and the F-N component flowing to other regions.
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