【摘 要】
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美国研究者近日研发出硅基垂直肖特基和pn氮化镓二极管,性能可与在其他成本较高的衬底上生产的器件相比肩。来自麻省理工大学的研究者将研究的重点放在降低不同路径的反向泄
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美国研究者近日研发出硅基垂直肖特基和pn氮化镓二极管,性能可与在其他成本较高的衬底上生产的器件相比肩。来自麻省理工大学的研究者将研究的重点放在降低不同路径的反向泄漏电流。横向氮化镓二极管被充分开发,但一直面临可靠稳定性和集成能力度的困难。垂直器件能够以较小的器件面积处理更高的电压,同时受益于峰值场远离
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