GaN基半导体材料研究进展

• 作 者: 郎佳红 顾彪 徐茵 秦福文
• 机 构: 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 大连 116024 大连理工大学电气工程
• 出 处: 激光与光电子学进展
• 发表日期: 2003年03期
• 关键词: GaN 半导体激光器 多量子阱

简单回顾半导体短波长激光器的发展过程,总结了GaN基激光二极管的发展以及GaN薄膜的几点技术进展。

A brief review of the development of semiconductor short-wavelength lasers is given, and the development of GaN-based laser diodes and some technological advances of GaN thin films are summarized.