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主要研究在晶体硅衬底上采用于氧氧化法生长Si02薄膜，通过改变非晶SiO2薄膜的生长温度、时间以及气体流量等参数优化工艺条件，增强对硅片的钝化作用，提高光生少数载流子寿命。实验发现在840℃下生长的非晶SiO2薄膜对硅片钝化效果最佳，可将硅片少子寿命提高约90％。此外，为优化SiO2／SiN，双层膜的减反射作用，采用Matlab程序计算SiO2／SiN；双层膜的反射谱，从理论上获得最优的膜系组合。实验发现生长有SiO2钝化膜的SiO2／SiN，双层膜太阳电池相对单层SiN，膜太阳电池，短路电流和开路电压分