【摘 要】
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采用VHF-PECVD技术高速沉积了不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明,沉积气压Pg=300Pa时,β=0.81,其超出标
【机 构】
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郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,
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采用VHF-PECVD技术高速沉积了不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明,沉积气压Pg=300Pa时,β=0.81,其超出标度理论中β最大值为0.5范围,出现异常标度行为.这表明微晶硅薄膜高速生长中还存在其他粗糙化增加的因素,此粗糙化增加的因素与阴影作用有关.
The microcrystalline silicon thin films with different growth stages were deposited by VHF-PECVD technique, and the evolution of the surface roughness of the microcrystalline silicon thin films during growth was investigated by ellipsometry.The experimental results show that β = 0.81 at deposition pressure Pg = 300Pa , Which exceeds the maximum value of β in the scale theory of 0.5 range, the abnormal scaling behavior, indicating that there are other factors that increase the roughness of the microcrystalline silicon film in the high-speed growth, and the increase of the roughness is related to the shadow effect.
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