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结合无刷直流电机控制器的设计,提出了基于PSPICE仿真的绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)功率损耗的估算方法.建立了IGBT电路仿真模型,给出了IGBT功率损耗与开关频率和栅极电阻阻值之间关系的仿真结果.最后,给出了功率损耗的计算方法,对不同开关频率和不同栅极电阻时的功率损耗进行了定量计算.结果表明,增大开关频率和栅极电阻会使IGBT的功率损耗增加.