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研究非晶ＳｉＯ２缺陷能级上电子的隧道效应，移植实验的ＸＰＳ芯能级谱技术，用ＤＶ－Ｘα计算界面Ｓｉｏ２／ＺｎＳ的能带断错，认为该界面处的能带断错是电子加速的主要机制。
薄膜电致发光器件中SiO2层加速机制的研究
【摘 要】
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研究非晶ＳｉＯ２缺陷能级上电子的隧道效应，移植实验的ＸＰＳ芯能级谱技术，用ＤＶ－Ｘα计算界面Ｓｉｏ２／ＺｎＳ的能带断错，认为该界面处的能带断错是电子加速的主要机制。
【机 构】
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中国科学院结构分析开放实验室,中国科学技术大学物理系
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1997年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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