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提出了一种新的两级环形振荡器结构,通过控制PMOS的衬底电压,来降低PMOS管的阈值电压,从而使新的环形振荡器可以在低电压下工作到很高的频率。仿真结果表明,在电源电压为1V,调节电压在0～1V范围内变化时,振荡器的频率为300MHz～4GHz。
低电压环形振荡器设计
【摘 要】
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提出了一种新的两级环形振荡器结构,通过控制PMOS的衬底电压,来降低PMOS管的阈值电压,从而使新的环形振荡器可以在低电压下工作到很高的频率。仿真结果表明,在电源电压为1V,调节电压在0～1V范围内变化时,振荡器的频率为300MHz～4GHz。
【机 构】
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武汉大学卫星导航定位技术研究中心
【出 处】
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通信学报
【发表日期】
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2007年06期
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