高电子迁移率InP／InP外延材料的MBE生长

• 作 者: 舒永春 姚江宏 林耀望 邢小东 皮彪 徐波 王占国 许京军
• 机 构: 南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2005年8期
• 关键词: 固态源分子束外延 高电子迁移率 InP/InP外延材料 SSMBE high electron mobility InP epilayers
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目（批准号：60476042）

采用固态磷源分子束外延技术在InP（100）衬底上生长了高质量的InP外延材料．实验结果表明InP／InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切相关．根据霍耳测量结果，对生长条件和实验参数进行了优化，在生长温度为370℃，磷裂解温度为850℃，生长速率为0．791）μm／h和束流比为2．5的条件下，获得了厚度为2．35μm的InP／InP外延材料．在77K温度下，电子浓度为1．55×10^-15cm^-3，电子迁移率达到4．57×10^4cm^2／（V·s）．