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ZnO缺陷发光及ZnO/GaN界面发光严重降低了n-ZnO/p-GaN发光二极管的性能。本文概述n-ZnO/p-GaN异质结的结构和发光存在的问题，详细介绍该方面的最新研究成果。通过引入界面层、利用量子限制效应等技术，使n-ZnO/p-GaN发光二极管的光谱质量和发光效率得到改善。
ZnO/GaN异质结发光二极管光谱改善研究进展
【摘 要】
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ZnO缺陷发光及ZnO/GaN界面发光严重降低了n-ZnO/p-GaN发光二极管的性能。本文概述n-ZnO/p-GaN异质结的结构和发光存在的问题，详细介绍该方面的最新研究成果。通过引入界面层、
【机 构】
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国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心
【出 处】
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河南科技
【发表日期】
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2017年13期
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