【摘 要】
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通过从理论上分析介质层厚度、不同介质材料的折射率差及周期数对一维光子晶体红外发射率的影响规律,设计得到了可实现8～14μm波段低红外发射率性能的Ge/ZnS一维光子晶体。随
【机 构】
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滁州学院材料与化学工程学院,南京航空航天大学材料科学与技术学院
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通过从理论上分析介质层厚度、不同介质材料的折射率差及周期数对一维光子晶体红外发射率的影响规律,设计得到了可实现8～14μm波段低红外发射率性能的Ge/ZnS一维光子晶体。随后采用光学镀膜技术在石英基片上通过交替沉积Ge层和ZnS层的方法制得所设计的一维光子晶体,并采用扫描电镜（SEM）及傅里叶变换红外光谱（FTIR）分别对其微结构及光谱发射率进行了系统研究。结果表明,所制备一维光子晶体在8～14μm波段具有低红外发射率性能,其平均发射率可低至0.195。采用Ge、ZnS等无机半导体材料,通过合理的一维光子
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