原位退火对Si纳米晶颗粒薄膜性质的影响

• 作 者: 杨沁玉 张菁 程萍
• 机 构: 东华大学理学院,彖华大学磁约束核聚变教育部研究中心,郑州幼儿师范高等专科学校
• 出 处: 纳米科技
• 发表日期: 2015年1期
• 关键词: 退火 Si纳米晶粒 红外光谱 荧光光谱 annealing treatment Si nano-crystal particles FTIR PL
• 基金项目: 中央高校基本科研项目（14D110921）

用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，在接近常压状态下，在氩气（Ar）和氢气（H2）的气氛中，以硅烷为源气体，在沉积区域加载脉冲负偏压对沉积过程进行调节，在基片上沉积得到具有荧光特性的含有Si纳米晶颗粒的SiOx薄膜，并在原气氛（Ar＋H2）中进行退火处理，SEM、TEM、FTIR、PL显示，退火后薄膜的网格结构被破坏，颗粒性更加明显，化学成分中Si—H减少，Si-O-Si增加，同时有少量si纳米晶粒析出，退火后的薄膜发光峰出现大幅蓝移，发光基团趋于单一，这与Si纳米晶粒的出现相对应。