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采用变分法从Ｆｒｏｅｈｌｉｃｈ哈密顿量出发，研究了ＬＯ声子对球形量子点中类氢杂质基态能的影响，并将结果应用到ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ材料中。研究表明ＬＯ声子对ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ为材料的量子点中类氢杂质基态能影响很小。
半导体量子点中LO声子对类氢杂质的影响
【摘 要】
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采用变分法从Ｆｒｏｅｈｌｉｃｈ哈密顿量出发，研究了ＬＯ声子对球形量子点中类氢杂质基态能的影响，并将结果应用到ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ材料中。研究表明ＬＯ声子对ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ为材料的量子点中类氢杂质基态能影响很小。
【机 构】
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福建师范大学实验中心
【出 处】
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福建师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1997年4期
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