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设计了一种采用0.25μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源,该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达5ppm/℃,电源抑制比可达到62dB.在此基础上设计了一种基准电流源,其温度系数可达6ppm/℃,输出电流变化率仅为0.03%/V.
一种高精度的带隙基准电压源及电流源
【摘 要】
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设计了一种采用0.25μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源,该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达5ppm/℃,电源抑制比可达到62dB.在此基础上设计了一种基准电流源,其温度系
【机 构】
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华中科技大学图像识别与人工智能研究所
【出 处】
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计算机与数字工程
【发表日期】
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2004年6期
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