论文部分内容阅读
,Mechanism of improving forward and reverse blocking voltages in AlGaN/GaN HEMTs by using Schottky d
【机 构】
：
Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xid
【出 处】
：
中国物理B（英文版）
【发表日期】
：
2014年10期
其他文献