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利用ＭＢＥ方法在（００１）衬底上成功地生长密度大、尺寸小、发红光的ＩｎＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子点结构。通过原子力显微镜观察表明，ＩｎＡｌＡｓ量子的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大；发现Ａｌ原子的表面迁移率决定ＩｎＡｌＡｓ量子点的形貌，光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围，并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要昌受量子点的横向尺寸影响。