【摘 要】
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在制造硅ｎｐｎ型高频、超高频小功率晶体管管芯和形成铝电极后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大晶体管的直、交流电流放大系数，提高特征频率和使击穿特性变硬。实验结果表明
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在制造硅ｎｐｎ型高频、超高频小功率晶体管管芯和形成铝电极后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大晶体管的直、交流电流放大系数，提高特征频率和使击穿特性变硬。实验结果表明，上述参数的改善，是轰击后界面态密度减小和基区少数载流子寿命增长的结果，而且与轰击时间及束流密度有关。
After manufacturing silicon npn high-frequency, ultra-low frequency power transistor die and forming aluminum electrode, back bombardment with low-energy argon ion beam can significantly increase the amplifying coefficient of direct current and alternating current of the transistor, increase the characteristic frequency and make Breakdown characteristics harden. The experimental results show that the improvement of the above parameters is the result of the decrease of the interface state density and the increase of minority carrier lifetime after bombardment, and is related to the time of bombardment and the beam density.
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