【摘 要】
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本文借助MOSFET 理论,运用界面势模型推导了pH—ISFET 的电流方程。文中提出的pH—ISFET 阈值电压概念包含了能斯特项,具有明显的物理意义,也便于实际测量。在分析pH—ISFET
【机 构】
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哈尔滨工业大学半导体器件教研室,哈尔滨工业大学半导体器件教研室,哈尔滨工业大学半导体器件教研室,哈尔滨工业大学半导体器件教研室
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本文借助MOSFET 理论,运用界面势模型推导了pH—ISFET 的电流方程。文中提出的pH—ISFET 阈值电压概念包含了能斯特项,具有明显的物理意义,也便于实际测量。在分析pH—ISFET 工作原理的基础上对氮化硅膜pH—ISFET 的设计、制造、电学及化学特性进行了讨论。测量结果表明器件具有良好的性能,是一种甚有前途的器件,将在有关领域中得到应用。
In this paper, with the aid of MOSFET theory, the current equation of pH-ISFET is derived by using the interface potential model. The proposed concept of pH-ISFET threshold voltage includes Nernst term, which has obvious physical meaning and is also convenient for practical measurement. The design, fabrication, electrical and chemical properties of the pH-ISFET were discussed based on the analysis of the working principle of the pH-ISFET. Measurement results show that the device has good performance, is a promising device, will be applied in the field.
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