【摘 要】
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采用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜样品,重点研究了硅烷浓度、功率密度、沉积气压和气体总流量对薄膜沉积速率和结晶状态的影响,绘制了
【机 构】
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郑州大学材料物理教育部重点实验室,
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采用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜样品,重点研究了硅烷浓度、功率密度、沉积气压和气体总流量对薄膜沉积速率和结晶状态的影响,绘制了沉积气压和功率密度双因素相图.以0.75nm/s的高速沉积了器件质量级的微晶硅薄膜,并以该沉积速率制备出了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜电池.
A series of microcrystalline silicon (μc-Si: H) thin films were prepared by VHF-PECVD technique. The effects of silane concentration, power density, deposition pressure and total gas flow on the deposition rate and crystallization State, the two-factor phase diagram of deposition pressure and power density was plotted.A device-quality microcrystalline silicon thin film was deposited at a high speed of 0.75nm / s, and a single junction micro-junction Crystalline thin film battery.
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