基于60 nm T型栅fT

• 作 者: 吕元杰 冯志红 张志荣 宋旭波 谭鑫 郭红雨 尹甲运 房玉龙 蔡树军
• 机 构: 河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室,河北石家庄050051
• 出 处: 红外与毫米波学报
• 发表日期: 2016年35期
• 关键词: InAlN/GaN 异质结场效应晶体管(HFETs) 电流增益截止频率(fT) 最大振荡频率(fmax) InAlN/GaN heterostructure f

基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs).基于再生长n GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小, 有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外, 采用自对准栅工艺制备60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小, 在Vgs= 1 V时, 器件最大饱和电流(Ids)达到1.89 A/mm, 峰值跨导达到462 mS/mm.根据小信号测试结果, 外推得到器件的fT和fmax分别为170 GHz和210 GHz, 该频率特性为国内InAlN/GaN HFETs器件频率的最高值.