有强内电场的GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收

• 作 者: 张立
• 机 构: 广州番禺职业技术学院电子技术与材料开发研究所
• 出 处: 红外与毫米波学报
• 发表日期: 2015年5期
• 关键词: 密度矩阵方法 吸收系数 内电场 density matrix approach absorption coefficient built-in electric
• 基金项目: jointly supported by the NNSF of China（60906042 and 61178003）, the Yangchen Scholar Project（10B010D）, the STPAA（10B001）of Guangzhou City,STP of Panyu Region（2010-D-09-1103004）, Project of Academic Inn

采用密度矩阵方法,考察了带强内建电场GaN-基阶梯量子阱中的线性与非线性光吸收系数.基于能量依赖的有效质量方法,在考虑了带的非抛物性情况下,推导了结构中的精确解析的电子本征态,给出了系统中简单解析的线性与非线性光吸收系数表达式.以AlN/GaN/AlxGa1-xN/AlN阶梯量子阱为例进行了数值计算.结果发现阶梯量子阱的阱宽Lw、阶梯垒宽Lb、阶梯垒的掺杂浓度x的减小将提高体系的吸收系数.而且,随着Lw,Lb和x减小,吸收光子的能量有明显的蓝移,总吸收系数的半宽度及饱和吸收强度均减小.计算获得的部分结果与