【摘 要】
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目前,三星电子公司开发出了一种1G 的 NARD 型快闪存储器。该产品采用了0.12μm 工艺,电源电压为3.3V,实现了8位的目标。现有样品出厂,预计2002年初开始批量出厂。另外,据说
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目前,三星电子公司开发出了一种1G 的 NARD 型快闪存储器。该产品采用了0.12μm 工艺,电源电压为3.3V,实现了8位的目标。现有样品出厂,预计2002年初开始批量出厂。另外,据说该公司在2002年还将开发出电源电压为1.8V,16位的产品。该公司的1G 快闪存储器将在3G,携带信息终端,硅声频,数字照像机等各种领域得到应用。
Currently, Samsung Electronics has developed a 1G NARD-type flash memory. The product uses a 0.12μm process, the power supply voltage of 3.3V, achieved the goal of 8. The existing sample factory, is expected to begin mass production in early 2002. In addition, the company is said to be in 2002 will also develop a supply voltage of 1.8V, 16-bit products. The company’s 1G flash memory will be 3G, portable information terminals, silicon audio, digital camera and other fields are applied.
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