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【摘 要】
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用斜坡电压法(Voltage Ramp,V-ramp)评价了0·18μm双栅极CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge toBreakdown,Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown,Vbd).研究结果表明,低压器
【机 构】
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东京大学材料系,上海集成电路研发中心 东京113-8656,日本,上海201203
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2006年06期
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