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研究了空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1×10^9-5×10^3cm^-2的变化。实验表明，两种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势，背场Si太阳电池性能参数Isc、Voc和Pmax衰降变化快，辐照注量为2×10^10cm^-2时，Pmax就巳衰降为原值的75%；而GaAs/Ge电池对应相同的衰降辐照注量达8×10^11cm^-2，且其Isc、Voc和Pmax衰降变化起初缓慢，当辐照注量接近3×10^12cm^-